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掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和GaAs-GaAs界面的光反射调制谱

潘士宏 王忠和 黄硕 张存洲 陈忠圭 周小川 徐贵昌 蒋健

掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和GaAs-GaAs界面的光反射调制谱

潘士宏, 王忠和, 黄硕, 张存洲, 陈忠圭, 周小川, 徐贵昌, 蒋健
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-02-12
  • 刊出日期:  2005-07-10

掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和GaAs-GaAs界面的光反射调制谱

  • 1. (1)南开大学物理系,天津300071; (2)中国科学院半导体超晶格国家重点实验室,北京100083; (3)中国科学院表面物理国家重点实验室,北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    半导体超晶格国家重点实验室资助的课题

摘要: 报道了用光反射调制谱(PR)测量掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和界面电场的结果。分别用He-Ne激光和He-Cd激光作调制光,由于它们的穿透深度不同,可以有效地区分来自表面和界面的PR信号。由PR谱推算出薄膜表面和界面的电场。研究了薄膜干涉效应对调制光谱的影响,对界面电场的成因进行了分析和讨论。

English Abstract

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