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国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究

高博 刘刚 王立新 韩郑生 张彦飞 王春林 温景超

国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究

高博, 刘刚, 王立新, 韩郑生, 张彦飞, 王春林, 温景超
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  • 研究了两种国产星用VDMOS器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应, 探讨了器件的阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等电参数随累积剂量、退火时间的变化关系. 实验结果表明这两种国产星用VDMOS器件辐照后电参数符合技术指标, 满足在复杂空间电离辐射环境下工作的要求.此外, 通过对器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应进行研究, 对其他型号星用VDMOS器件工艺和设计的进一步改进, 具有参考作用.
    [1]

    Grant D A, Gowar J 1989 Power MOSFETs: theory and applications (Wiley: New York)

    [2]

    Singh G, Galloway K F, Russell T J 1986 IEEE Trans. Nucl. Sci. 33 1454

    [3]

    Liu Z L, Hu Z Y, Zhang Z X, Shao H, Chen M, Bi D W, Ning B X, Zou S C 2011 Chin. Phys. B 20 070701

    [4]

    Xue S B, Huang R, Huang D T, Wang S H, Tan F, Wang J, An X, Zhang X 2011 Chin. Phys. B 20 117307

    [5]

    Li L L, Yu Z G, Xiao Z Q, Zhou X J 2011 Acta Phys. Sin. 60 098502 (in Chinese) [李蕾蕾, 于宗光, 肖志强, 周昕杰 2011 物理学报 60 098502]

    [6]

    Zhao H F, Du L, He L, Bao J L 2011 Acta Phys. Sin. 60 028501 (in Chinese) [赵鸿飞, 杜磊, 何亮, 包军林 2011 物理学报 60 028501]

    [7]

    Schwank J 2002 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference Phoenix, Arizona July 15-19 2002 p Section III-1

    [8]

    Gao B, Yu X F, Ren D Y, Cui J W, Lan B, Li M, Wang Y Y 2011 Acta Phys. Sin. 60 068702 (in Chinese) [高博, 余学峰, 任迪远, 崔江维, 兰博, 李明, 王义元 2011 物理学报 60 068702]

    [9]

    Lan B 2010 MS Thesis (Urumqi: Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences) (in Chinese) [兰博 2010 硕士学位论文(乌鲁木齐:中国科学院新疆理化技术研究所)]

    [10]

    Seehra S S, Slusark W J 1982 IEEE Trans. Nucl. Sci. 29 1559

    [11]

    McWhorter P J, Miller S L, Miller W M. 1990 IEEE Trans. Nucl. Sci. 37 1682

    [12]

    Lelis A J, Oldham T R, DeLancey W M 1991 IEEE Trans. Nucl. Sci. 38 1590

    [13]

    Fleetwood D M, Thome F V, Tsao S S, Dressendorfer P V, Dandini V J, Schwank J R 1988 IEEE Trans. Nucl. Sci. 35 1099

    [14]

    Saks N S, Klein R B, Griscom D L 1988 IEEE Trans. Nucl. Sci. 35 1234

    [15]

    Srour J R, Marshall C J, Marshall P W 2003 IEEE Trans. Nucl. Sci. 50 653

    [16]

    Zhang M, Shen K Q 2007 Jou.l of Grad. Stu. SEU 5 154 (in Chinese) [张敏, 沈克强 2007 东南大学研究生学报 5 154]

    [17]

    Chen X B 1990 Power MOSFET and High Voltage Integrated Circuit (Nanjing: Southeast University Press) p74 (in Chinese) [陈星弼 1990 功率MOSFET与高压集成电路 (南京:东南大学出版社) 第74页]

    [18]

    Bai C H, Wang B 2007 Mode. Elec. Tec. 16 174 (in Chinese) [白朝辉, 王标 2007 现代电子技术 16 174]

    [19]

    Felix J A, Shaneyfelt M R, Dodd P E, Draper B L, Schwank J R, Dalton S M 2005 IEEE Trans. Nucl. Sci. 52 2378

  • [1]

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    [2]

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  • [1] 杨谟华, 谭开洲, 徐世六, 张正璠, 刘玉奎, 钟 怡, 胡刚毅, 何开全. 一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究. 物理学报, 2008, 57(3): 1872-1877. doi: 10.7498/aps.57.1872
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    [19] 陈剑辉, 杨静, 沈艳娇, 李锋, 陈静伟, 刘海旭, 许颖, 麦耀华. 后退火增强氢化非晶硅钝化效果的研究. 物理学报, 2015, 64(19): 198801. doi: 10.7498/aps.64.198801
    [20] 孙成伟, 刘志文, 张庆瑜. 退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响. 物理学报, 2006, 55(1): 430-436. doi: 10.7498/aps.55.430
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-11-28
  • 修回日期:  2012-02-24
  • 刊出日期:  2012-09-05

国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究

  • 1. 中国科学院微电子研究所, 北京 100029

摘要: 研究了两种国产星用VDMOS器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应, 探讨了器件的阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等电参数随累积剂量、退火时间的变化关系. 实验结果表明这两种国产星用VDMOS器件辐照后电参数符合技术指标, 满足在复杂空间电离辐射环境下工作的要求.此外, 通过对器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应进行研究, 对其他型号星用VDMOS器件工艺和设计的进一步改进, 具有参考作用.

English Abstract

参考文献 (19)

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