搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

硅基外延OsSi2电子结构及光电特性研究

余志强

硅基外延OsSi2电子结构及光电特性研究

余志强
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  1340
  • PDF下载量:  467
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-04-13
  • 修回日期:  2012-05-22
  • 刊出日期:  2012-11-05

硅基外延OsSi2电子结构及光电特性研究

  • 1. 湖北民族学院电气工程系, 恩施 445000;
  • 2. 贵州大学新型光电子材料与技术研究所, 贵阳 550025
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60766002)和湖北省教育厅科学技术研究项目(批准号: B20122903)资助的课题.

摘要: 基于第一性原理密度泛函理论的赝势平面波方法, 对Si(111)基外延稳定正交相OsSi2的能带结构、 态密度以及光电特性进行了研究. 研究结果表明, Si(111)基外延稳定正交相的OsSi2是一种间接带隙半导体, 禁带宽度为0.625 eV; 其价带主要是由硅的3s, 3p态电子和锇的5d态电子构成, 导带主要由锇的5d态电子与硅的3s, 3p态电子构成; 其静态介电函数为15.065, 折射率为3.85, 吸收系数最大峰值为3.9665× 105 cm-1. 利用理论计算的能带结构和态密度研究了Si(111)基外延稳定正交相OsSi2的介电函数、折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的变化规律, 为Si(111)基外延OsSi2的应用提供了理论基础.

English Abstract

参考文献 (22)

目录

    /

    返回文章
    返回