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基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究

陈晓雪 姚若河

基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究

陈晓雪, 姚若河
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  • 基于表面势模型,在同时考虑深能态和带尾态分布下,采用简化的费米-狄拉克函数计算得到统一的定域态模型,并利用有效特征温度的概念,推导出a-Si:H TFT统一的电流-电压(I-V)模型.该模型可不分区地描述包括亚阈值区、 线性区以及饱和区等a-Si:H TFT的所有工作区域.与实验得到的I-V特性进行比较表明,本模型能够准确地描述a-Si:H TFT的各个工作区的电流电压特性.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61274085)资助的课题.
    [1]

    Rahn J T, Lemmi F, Lu J P, Mei P, Apte R B, Street R A 1999 IEEE Trans. Nucl. Sci. 46 457

    [2]

    Ibaraki N 1994 Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 336 749

    [3]

    Shur M, Hack M 1984 J. Appl. Phys. 55 3831

    [4]

    Leroux T 1986 Solid-State Electronics 29 47

    [5]

    Chung K Y, Neudeck G W 1987 J. Appl. Phys. 62 4617

    [6]

    Colalongo L 2001 Solid-State Electronics 45 1525

    [7]

    Khakzar K, Luder E H 1992 IEEE Trans. Electron Devices 39 1428

    [8]

    Valdinoci M, Gnudi A, Rudan M, Fortunato G 1994 Numerical Modeling of Processes and Devices for Integrated Circuits International Workshop on Honolulu, HI, USA, June 5-6 1994 p19

    [9]

    Shaw J G, Hack M 1988 J. Appl. Phys. 64 4562

    [10]

    Chen S S, Kuo J B 1994 IEEE Trans. Electron Devices 41 1169

    [11]

    Shur M, Hack M, Shaw J G 1989 J. Appl. Phys. 66 3372

    [12]

    Liu Y, Yao R H, Li B, Deng W L 2008 J. Dis. Tech. 4 180

    [13]

    Hafdi Z, Aida M S 2005 Jpn. J. Appl. Phys. 44 1192

  • [1]

    Rahn J T, Lemmi F, Lu J P, Mei P, Apte R B, Street R A 1999 IEEE Trans. Nucl. Sci. 46 457

    [2]

    Ibaraki N 1994 Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 336 749

    [3]

    Shur M, Hack M 1984 J. Appl. Phys. 55 3831

    [4]

    Leroux T 1986 Solid-State Electronics 29 47

    [5]

    Chung K Y, Neudeck G W 1987 J. Appl. Phys. 62 4617

    [6]

    Colalongo L 2001 Solid-State Electronics 45 1525

    [7]

    Khakzar K, Luder E H 1992 IEEE Trans. Electron Devices 39 1428

    [8]

    Valdinoci M, Gnudi A, Rudan M, Fortunato G 1994 Numerical Modeling of Processes and Devices for Integrated Circuits International Workshop on Honolulu, HI, USA, June 5-6 1994 p19

    [9]

    Shaw J G, Hack M 1988 J. Appl. Phys. 64 4562

    [10]

    Chen S S, Kuo J B 1994 IEEE Trans. Electron Devices 41 1169

    [11]

    Shur M, Hack M, Shaw J G 1989 J. Appl. Phys. 66 3372

    [12]

    Liu Y, Yao R H, Li B, Deng W L 2008 J. Dis. Tech. 4 180

    [13]

    Hafdi Z, Aida M S 2005 Jpn. J. Appl. Phys. 44 1192

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-01-08
  • 修回日期:  2012-07-01
  • 刊出日期:  2012-12-05

基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究

  • 1. 华南理工大学电子与信息学院, 广州 510640
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61274085)资助的课题.

摘要: 基于表面势模型,在同时考虑深能态和带尾态分布下,采用简化的费米-狄拉克函数计算得到统一的定域态模型,并利用有效特征温度的概念,推导出a-Si:H TFT统一的电流-电压(I-V)模型.该模型可不分区地描述包括亚阈值区、 线性区以及饱和区等a-Si:H TFT的所有工作区域.与实验得到的I-V特性进行比较表明,本模型能够准确地描述a-Si:H TFT的各个工作区的电流电压特性.

English Abstract

参考文献 (13)

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