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基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究

陈晓雪 姚若河

基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究

陈晓雪, 姚若河
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-01-08
  • 修回日期:  2012-07-01
  • 刊出日期:  2012-12-05

基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究

  • 1. 华南理工大学电子与信息学院, 广州 510640
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61274085)资助的课题.

摘要: 基于表面势模型,在同时考虑深能态和带尾态分布下,采用简化的费米-狄拉克函数计算得到统一的定域态模型,并利用有效特征温度的概念,推导出a-Si:H TFT统一的电流-电压(I-V)模型.该模型可不分区地描述包括亚阈值区、 线性区以及饱和区等a-Si:H TFT的所有工作区域.与实验得到的I-V特性进行比较表明,本模型能够准确地描述a-Si:H TFT的各个工作区的电流电压特性.

English Abstract

参考文献 (13)

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