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高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器

王杰 韩勤 杨晓红 倪海桥 贺继方 王秀平

高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器

王杰, 韩勤, 杨晓红, 倪海桥, 贺继方, 王秀平
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  • 研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器. 采用分子束外延设备生长In0.25Ga0.75As/GaAs量子阱作为器件的有源区, 无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐. 统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系, 且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号: 2006CB302802)、国家高技术研究与发展计划(批准号: 2007AA03Z421)和国家自然科学基金(批准号: 60376025, 61176053)资助的课题.
    [1]

    Selim ü M, Samuel S 1995 J. Appl. Phys. 78 607

    [2]

    Saif I M, Ming C W 2003 Proc. SPIE 5246 448

    [3]

    Kalman R F,Fan J C, Kazovsky L G 1994 IEEE J. Lightwave Technol. 12 1263

    [4]

    Tulchinsky D A, Boos J B, Park D, Goetz P G, Rabinovich W S, Williams K J 2008 IEEE J. Lightwave Technol. 26 408

    [5]

    Larson M C 1996 Ph. D. Dissertation (Stanford: Stanford University)

    [6]

    Pezeshki B, Harris J S 1992 Patent U S 5 291 502

    [7]

    Wu M S, Vail E C, Li G S, Yuen W, Chang H C J 1996 IEEE Photon.Technol. Lett. 8 98

    [8]

    Larson M C, Massengale A R, Harris J S 1996 Electron. Lett. 32 330

    [9]

    Li M Y, Yuen W, Chang H C J 1997 Electron. Lett. 33 1122

    [10]

    Vail E C, Li G S, Yuen W, Chang H C J 1997 IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 3 691

    [11]

    Chang H C J 2000 IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 6 978

    [12]

    Kang J F, Zheng Q 1984 Applied Film Optics (Shanghai: Shanghai Scientific and Technical Publishers ) p94 (in Chinese) [康晋发,郑权 1984应用薄膜光学 (上海 :上海科学技术出版社)第94页]

  • [1]

    Selim ü M, Samuel S 1995 J. Appl. Phys. 78 607

    [2]

    Saif I M, Ming C W 2003 Proc. SPIE 5246 448

    [3]

    Kalman R F,Fan J C, Kazovsky L G 1994 IEEE J. Lightwave Technol. 12 1263

    [4]

    Tulchinsky D A, Boos J B, Park D, Goetz P G, Rabinovich W S, Williams K J 2008 IEEE J. Lightwave Technol. 26 408

    [5]

    Larson M C 1996 Ph. D. Dissertation (Stanford: Stanford University)

    [6]

    Pezeshki B, Harris J S 1992 Patent U S 5 291 502

    [7]

    Wu M S, Vail E C, Li G S, Yuen W, Chang H C J 1996 IEEE Photon.Technol. Lett. 8 98

    [8]

    Larson M C, Massengale A R, Harris J S 1996 Electron. Lett. 32 330

    [9]

    Li M Y, Yuen W, Chang H C J 1997 Electron. Lett. 33 1122

    [10]

    Vail E C, Li G S, Yuen W, Chang H C J 1997 IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 3 691

    [11]

    Chang H C J 2000 IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 6 978

    [12]

    Kang J F, Zheng Q 1984 Applied Film Optics (Shanghai: Shanghai Scientific and Technical Publishers ) p94 (in Chinese) [康晋发,郑权 1984应用薄膜光学 (上海 :上海科学技术出版社)第94页]

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-03-01
  • 修回日期:  2011-03-18
  • 刊出日期:  2012-01-05

高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器

  • 1. 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083;
  • 2. 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2006CB302802)、国家高技术研究与发展计划(批准号: 2007AA03Z421)和国家自然科学基金(批准号: 60376025, 61176053)资助的课题.

摘要: 研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器. 采用分子束外延设备生长In0.25Ga0.75As/GaAs量子阱作为器件的有源区, 无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐. 统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系, 且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.

English Abstract

参考文献 (12)

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