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生长在Si(001)衬底上应变合金层GexSi1-x的光学性质

徐至中

生长在Si(001)衬底上应变合金层GexSi1-x的光学性质

徐至中
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-07-27
  • 刊出日期:  2005-07-10

生长在Si(001)衬底上应变合金层GexSi1-x的光学性质

  • 1. 复旦大学物理系,上海200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 采用经验的紧束缚方法对生长在Si(001)衬底上的应变合金GexSi1-x的光学常数进行了计算。应变对电子能带结构的影响,通过紧束缚参数随键角方向余弦的变化以及键长按经验的标度定则的变化而进行计算。其中标度指数根据对Ge和Si的畸变势常数的实验值进行拟合而确定。计算介电常数虚部时出现的动量矩阵元,根据对Ge和Si的介电常数虚部的实验曲线拟合而决定。列出了当x=0.2和1时的光学常数——介电常数虚部ε2、折射率n、吸收系数α和反射率R的计算结

English Abstract

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