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GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究

王威 周文政 韦尚江 李小娟 常志刚 林铁 商丽燕 韩奎 段俊熙 唐宁 沈波 褚君浩

GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究

王威, 周文政, 韦尚江, 李小娟, 常志刚, 林铁, 商丽燕, 韩奎, 段俊熙, 唐宁, 沈波, 褚君浩
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  • 通过对GaN/AlxGa1-xN异质结中二维电子气磁输运结果的分析,研究了磁电阻的起因. 结果表明,整个磁场范围的负磁电阻是由电子-电子相互作用引起的,而高场下的正磁电阻来源于平行电导的进一步修正.用拟合的方法得到了电子-电子相互作用项以及平行电导层的载流子浓度和迁移率, 并用不同的计算方法对拟合结果进行了验证.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号: 2007CB924900)和国家自然科学基金(批准号: 60906045)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-05-21
  • 修回日期:  2012-06-20
  • 刊出日期:  2012-12-05

GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究

  • 1. 广西大学物理科学与工程技术学院, 南宁 530004;
  • 2. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海 200083;
  • 3. 华东师范大学信息科学与技术学院极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241;
  • 4. 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室, 北京 100871
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2007CB924900)和国家自然科学基金(批准号: 60906045)资助的课题.

摘要: 通过对GaN/AlxGa1-xN异质结中二维电子气磁输运结果的分析,研究了磁电阻的起因. 结果表明,整个磁场范围的负磁电阻是由电子-电子相互作用引起的,而高场下的正磁电阻来源于平行电导的进一步修正.用拟合的方法得到了电子-电子相互作用项以及平行电导层的载流子浓度和迁移率, 并用不同的计算方法对拟合结果进行了验证.

English Abstract

参考文献 (27)

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