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低剂量率60Co γ 射线辐照下SOI MOS器件的退化机理

商怀超 刘红侠 卓青青

低剂量率60Co γ 射线辐照下SOI MOS器件的退化机理

商怀超, 刘红侠, 卓青青
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-06-11
  • 修回日期:  2012-07-12
  • 刊出日期:  2012-12-20

低剂量率60Co γ 射线辐照下SOI MOS器件的退化机理

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61076097, 60976068, 60936005), 教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号: 708083)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: 20110203110012)资助的课题.

摘要: 本文通过实验分析了0.8 μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应. 实验结果表明, 总剂量相同时,低剂量率的辐照效应更严重, 关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态, 辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压VD升高. 研究结果表明: 界面态对PMOS器件亚阈值斜率和跨导退化的影响作用不同, 主要原因是栅极偏置不同使起作用的界面态数量不同.

English Abstract

参考文献 (9)

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