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铁磁绝缘体间的极薄Bi2Se3薄膜的相变研究

王怀强 杨运友 鞠艳 盛利 邢定钰

铁磁绝缘体间的极薄Bi2Se3薄膜的相变研究

王怀强, 杨运友, 鞠艳, 盛利, 邢定钰
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-07-06
  • 修回日期:  2012-09-11
  • 刊出日期:  2013-02-05

铁磁绝缘体间的极薄Bi2Se3薄膜的相变研究

  • 1. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室和物理学院, 南京 210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号: 11174125, 11074109) 和江苏省自然科学基金(批准号: BK2010364) 资助的课题.

摘要: 研究一个极薄三维拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜处于两个铁磁绝缘体层之间, 其铁磁层的磁化方向都处于竖直平面, 系统拓扑性质随磁化方向夹角的变化. 从表面态电子低能有效哈密顿量出发计算系统的Chern 数, 和运用一个具有Armchair边界的单层六角晶格带的紧束缚模型模拟系统的体能带和边缘态, 来确定系统所处的拓扑相. 发现两个铁磁层的磁化方式从平行转到反平行的某一临界角度, 系统经历从反常量子霍尔相到普通绝缘相的转变.

English Abstract

参考文献 (17)

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