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掺铁铌酸锂晶体的光电导衰减特性研究

陈小兰 张耘 冉启义

掺铁铌酸锂晶体的光电导衰减特性研究

陈小兰, 张耘, 冉启义
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-07-07
  • 修回日期:  2012-08-26
  • 刊出日期:  2013-02-05

掺铁铌酸锂晶体的光电导衰减特性研究

  • 1. 西南大学物理科学与技术学院, 重庆 400715

摘要: 利用电化学分析仪对掺铁同成分铌酸锂晶体进行瞬态光电导研究. 以不同掺铁浓度铌酸锂晶体为样品, 在不同强度的纳秒级脉冲光照射下对光电导的研究发现: 铌酸锂晶体的瞬态光电导是由较为复杂的电子迁移过程形成, 其衰减可以用一个指数函数叠加一个扩展指数来拟合. 拟合参数与光强、掺铁浓度存在以下依赖关系: 入射光强增强时, 幅值σ1max、σ2max、时间常数τ2和扩展因子β 值增大, 在光强增大到一定时, τ2和β出现饱和; 晶体的掺铁浓度升高时, σ1max、σ2max、τ2 值增大, 而β值减小. 根据实验结果, 从理论上提出了光电子导带迁移伴随光电子在小极化子上跳跃迁移的复合电荷传输模型. 该模型较好地解释了掺铁同成分铌酸锂晶体的光电导的衰减特点.

English Abstract

参考文献 (13)

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