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前驱体和退火温度对Nd2O3薄膜组分影响的定量研究

张旭杰 刘红侠 范小娇 樊继斌

前驱体和退火温度对Nd2O3薄膜组分影响的定量研究

张旭杰, 刘红侠, 范小娇, 樊继斌
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-08-18
  • 修回日期:  2012-09-08
  • 刊出日期:  2013-02-05

前驱体和退火温度对Nd2O3薄膜组分影响的定量研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61076097, 60936005)、 教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号: 708083)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: 20110203110012)资助的课题.

摘要: 采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体, 利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜, 并在N2气氛下进行了退火处理. 采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析. 研究结果表明, 淀积过程中将前驱体温度从175 ℃提高到185 ℃后, 薄膜的质量得到提高, O/Nd 原子比达到1.82, 更接近理想的化学计量比, 介电常数也从6.85升高到10.32.

English Abstract

参考文献 (12)

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