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Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究

张明 董国胜 李喆深 徐敏 金晓峰 王迅 朱兴国

Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究

张明, 董国胜, 李喆深, 徐敏, 金晓峰, 王迅, 朱兴国
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-11-01
  • 刊出日期:  2005-07-10

Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究

  • 1. (1)复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433; (2)浙江工学院物理教研室,杭州310032
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 利用低能电子衍射(LEED)、X射线光电子能谱(XPS)、电子能量损失谱(EELS)、紫外光电子能谱(UPS),对室温下Mn在GaAs(100)4×1表面的淀积过程进行了研究。研究结果表明,当锰的覆盖度θ≥0.25nm时,LEED图案完全消失,表明Mn没有生长成单晶。LEED,EELS的结果都表明淀积初期是层状生长的。对XPS的Ga2p3/2,As2p3/2的峰形、强度进行分析,可以知道在很小的覆盖度下,Mn就与衬底反应。置换出的Ga被局限在离原来的界面约3nm

English Abstract

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