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应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性

柯三黄 王仁智 黄美纯

应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性

柯三黄, 王仁智, 黄美纯
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-11-30
  • 刊出日期:  2005-07-10

应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性

  • 1. 厦门大学物理系,厦门361005
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    福建省自然科学基金

摘要: 采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)1(InP)1(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△Ev)的普遍适用的参考能级。研究了应变对

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