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应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究

柯三黄 王仁智 黄美纯

应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究

柯三黄, 王仁智, 黄美纯
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-03-23
  • 刊出日期:  1994-01-20

应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究

  • 1. 厦门大学物理系,中国高等科学技术中心(世界实验室)
    基金项目: 

    国家自然科学基金及福建省自然科学基金资助的项目.

摘要: 对处于不同应变状态下的超晶格(GaP)1(GaAs)1(001),(InP)n(InAs)n(001)(n=1,3)的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶Ev和平均键能Em的行为,对以Em为能量参考的应变层超晶格价带边不连续值计算方法作了较全面的第一原理的数值检验,基于这一方法,本文分别对InP,InAs,GaP,GaA

English Abstract

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