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BaF2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响

沈定中 袁湘龙 华素坤 周祖尧 陶振兰 王震遐 朱福英 章骥平 潘冀生

BaF2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响

沈定中, 袁湘龙, 华素坤, 周祖尧, 陶振兰, 王震遐, 朱福英, 章骥平, 潘冀生
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-07-12
  • 刊出日期:  1994-10-20

BaF2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响

  • 1. (1)中国科学院上海硅酸盐研究所; (2)中国科学院上海冶金研究所; (3)中国科学院上海原子核研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 27keV Ar+离子束沿法向分别入射在BaF2单晶(111),(100)和(110)的晶面上,用捕获器方法和Rutherford背散射分析法测定了Ba原子的溅射角分布和溅射产额。结果发现不同取向的晶体表面,它们的溅射产额有明显差异。当用剂量为5×1017ion/cm2的Ar+离子分别轰击这三种晶面时,其溅射产额的顺序Y100>y111>y110.对已被上述剂量辐照过的晶面再作相同剂量轰击时,测得的溅射产额明显增大。这些结果被认为是由于在离子辐照过程中表面晶格受损逐步增大所致。

English Abstract

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