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掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响

刘智 李亚明 薛春来 成步文 王启明

掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响

刘智, 李亚明, 薛春来, 成步文, 王启明
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-01-01
  • 修回日期:  2013-01-11
  • 刊出日期:  2013-04-05

掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响

  • 1. 中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2013CB632103)和国家自然科学基金(批准号: 61036003, 61176013 和61177038)资助的课题.

摘要: 利用超高真空化学气相沉积设备, 在Si (001) 衬底上外延生长了多个四层Ge/Si量子点样品. 通过原位掺杂的方法, 对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了未掺杂、磷掺杂和硼掺杂. 相比未掺杂的样品, 磷掺杂不影响Ge/Si量子点的表面形貌, 但可以有效增强其室温光致发光; 而硼掺杂会增强Ge/Si量子点的合并, 降低小尺寸Ge/Si量子点的密度, 但其光致发光会减弱. 磷掺杂增强Ge/Si量子点光致发光的原因是, 磷掺杂为Ge/Si量子点提供了更多参与辐射复合的电子.

English Abstract

参考文献 (12)

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