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二维磁振子晶体中线缺陷模的性质及其应用

曹永军 江鑫

二维磁振子晶体中线缺陷模的性质及其应用

曹永军, 江鑫
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-10-16
  • 修回日期:  2012-12-21
  • 刊出日期:  2013-04-05

二维磁振子晶体中线缺陷模的性质及其应用

  • 1. 内蒙古师范大学物理与电子信息学院, 内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室, 呼和浩特 010022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10947008, 11264028)和内蒙古自治区自然科学基金(批准号:2012MS0114)资助的课题.

摘要: 在超原胞近似下, 利用平面波展开法数值计算了含线缺陷结构的二维磁振子晶体带结构及缺陷模的磁化强度场分布. 研究结果表明, 线缺陷结构的引入会在禁带中产生一个小范围的通带, 即产生线缺陷模. 该模式的存在可使自旋波沿着线缺陷结构的方向传播, 利用此性质含线缺陷结构的二维磁振子晶体材料可作为自旋波导波器件的制作材料.

English Abstract

参考文献 (14)

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