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Siδ掺杂AlxGa1-xAs/GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

彭正夫 张允强 韦亚一 沈金熙 郑国珍 郭少令 汤定元

Siδ掺杂AlxGa1-xAs/GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

彭正夫, 张允强, 韦亚一, 沈金熙, 郑国珍, 郭少令, 汤定元
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-04-26
  • 刊出日期:  1994-02-20

Siδ掺杂AlxGa1-xAs/GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

  • 1. (1)南京电子器件研究所; (2)中国科学院上海技术物理研究所

摘要: 使用分子束外延方法生长了一种新的基于Siδ掺杂的AlxGa1-xAs/GaAs异质结,测量了0.3-30K低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Hall电阻,磁阻的Shubni-kov-de Hass(SdH)振荡非常明显。对振荡曲线作快速Fourier变换分析,获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量(m0*/m0=0.073,m1*

English Abstract

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