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GexSi1-x合金中的键长及其对电子能带结构的影响

徐至中

GexSi1-x合金中的键长及其对电子能带结构的影响

徐至中
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-06-21
  • 刊出日期:  1994-07-20

GexSi1-x合金中的键长及其对电子能带结构的影响

  • 1. 复旦大学应用表面物理实验室
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 采用经验紧束缚理论,以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟GexSi1-x合金,根据总能最小原则计算了GexSi1-x合金中的键长及点阵常数.同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构,并与虚晶近似下的计算结果进行了比较.计算结果表明,GexSi1-x合金中的键长基本上与合金组分无关,各自接近于Ge,Si晶体中的键长,与广延x射线吸收精细结构(EXAFS)测量结果符合得

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