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GaAs分子束外延生长的Monte Carlo模拟

茅惠兵 陆卫 马朝晖 刘兴权 沈学础

GaAs分子束外延生长的Monte Carlo模拟

茅惠兵, 陆卫, 马朝晖, 刘兴权, 沈学础
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-07-08
  • 刊出日期:  1994-07-20

GaAs分子束外延生长的Monte Carlo模拟

  • 1. 中国科学院红外物理国家重点实验室

摘要: 用Monte Carlo方法模拟了GaAs(001)面的邻晶面上的分子束外延的生长过程,模拟的基本模型是常用的SOS模型,结果显示在A类邻晶面上二维成核模式起主委作用,但在B类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用,但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式.另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象.

English Abstract

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