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单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移

徐嶺茂 高超 董鹏 赵建江 马向阳 杨德仁

单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移

徐嶺茂, 高超, 董鹏, 赵建江, 马向阳, 杨德仁
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-01-14
  • 修回日期:  2013-04-26
  • 刊出日期:  2013-08-20

单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移

  • 1. 浙江大学材料科学与工程系, 硅材料国家重点实验室, 杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 50832006)

    国家科技重大专项(批准号: 2010ZX02301-003)

    浙江省创新团队(批准号: 2009R50005)和浙江省自然科学基金(批准号: R4090055)资助的课题.

摘要: 研究了单晶硅片中维氏压痕诱生的位错在不同气氛下高温快速热处理中的滑移行为.研究表明: 在快速热处理时, 位错在压痕残余应力的弛豫过程中能发生快速滑移; 当快速热处理温度高于1100℃时, 在氮气氛下处理的硅片比在氩气氛下处理的硅片有更小的位错滑移距离. 我们认为这是由于氮气氛下的高温快速热处理在压痕处注入的氮原子钉扎了位错, 增加了位错的临界滑移应力, 从而在相当程度上抑制了位错的滑移. 可以推断氮气氛下的高温快速热处理注入的氮原子增强了硅片的机械强度.

English Abstract

参考文献 (15)

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