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一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法

戴隆贵 禤铭东 丁芃 贾海强 周均铭 陈弘

一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法

戴隆贵, 禤铭东, 丁芃, 贾海强, 周均铭, 陈弘
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-20
  • 修回日期:  2013-03-29
  • 刊出日期:  2013-08-05

一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法

  • 1. 中国科学院物理研究所, 北京凝聚态物理国家实验室, 新能源材料与器件北京市重点实验室, 中国科学院清洁能源前沿研究重点实验室, 北京 100190
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号: 11204360, 61210014) 和国家高技术研究发展计划 (批准号: 2011AA03A112, 2011AA03A106) 资助的课题.

摘要: 本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法. 利用激光干涉光刻技术, 结合干法和湿法刻蚀工艺, 直接将光刻胶点阵刻蚀为硅纳米孔阵结构, 省去了图形反转工艺中的金属蒸镀和光刻胶剥离等必要步骤, 在2英寸的硅 (001) 衬底上制备了高度有序的二维纳米孔阵结构. 利用干法刻蚀产生的氟碳有机聚合物作为湿法刻蚀的掩膜, 以及在干法刻蚀时对样品进行轻微的过刻蚀, 使SiO2点阵图形下形成一层很薄的硅台面, 是本方法的两个关键工艺步骤. 扫描电子显微镜图片结果表明制备的孔阵图形大小均匀, 尺寸可控, 孔阵周期为450 nm, 方孔大小为200280 nm.

English Abstract

参考文献 (18)

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