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铜基碳纳米管薄膜的制备及其强流脉冲发射特性研究

麻华丽 霍海波 曾凡光 向飞 王淦平

铜基碳纳米管薄膜的制备及其强流脉冲发射特性研究

麻华丽, 霍海波, 曾凡光, 向飞, 王淦平
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-25
  • 修回日期:  2013-04-10
  • 刊出日期:  2013-08-05

铜基碳纳米管薄膜的制备及其强流脉冲发射特性研究

  • 1. 郑州航空工业管理学院数理系, 郑州 450015;
  • 2. 中国工程物理研究院应用电子学研究所, 高功率微波技术重点实验室, 绵阳 621900
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号: 51072184, 50972132, 51002143, 61274012, 61172041)

    航空科学基金项目 (批准号: 2011ZF55015)

    河南省高等学校青年骨干教师资助计划项目 (批准号: 2011GGJS-140)

    河南省基础与前沿技术研究计划项目 (批准号: 112300410264)资助的课题.

摘要: 为了研究碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性, 采用酞菁铁高温热解方法在机械抛光铜基底上直接生长了碳纳米管薄膜 (Cu-CNTs), Cu-CNTs生长方向各异. 在20 GW脉冲功率源系统中采用二极结构对Cu-CNTs的强流脉冲发射特性进行研究, 研究结果表明: 在单脉冲发射条件下, 随脉冲电场峰值的增大, Cu-CNTs薄膜的发射电流峰值呈线性增加, 当宏观场强为15.5 V/μ时, 发射脉冲电流的峰值可达到5.56 kA, 对应的发射电流密度0.283 kA/cm2, 当宏观场强达到32.0 V/μ时, 发射脉冲电流的峰值可达到18.19 kA, 对应的发射电流密度0.927 kA/cm2, 发射电流能力明显优于已有报道. 在相同峰值, 连续多脉冲情况下, 碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性, 且发射性能稳定.

English Abstract

参考文献 (14)

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