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硅基光栅耦合器的研究进展

杨彪 李智勇 肖希 Nemkova Anastasia 余金中 俞育德

硅基光栅耦合器的研究进展

杨彪, 李智勇, 肖希, Nemkova Anastasia, 余金中, 俞育德
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  • 硅基光子集成芯片的研究近年来发展迅速, 已成为信息技术领域中最热门的研究方向之一, 光通信、光互连、光传感等相关研发应用机构高度关注其发展, 并积极介入. 硅基光子集成芯片中, 光栅耦合器作为光信号的输入和输出装置受到极大重视, 尤其在封装和测试等环节体现出极具价值的技术优势. 本文主要分析了光栅耦合器的工作原理、基本特性及国内外的发展现状和趋势, 同时也概括了本课题组近期在该方向上的研究成果.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301701);中国科学院知识创新工程重要方向项目(批准号:KGCX2-EW-102)和国家自然科学基金(批准号:61107048,61275065)资助的课题.
    [1]

    Kobrinsky M J, Block B A, Zheng J F, Barnett B C, Mohanmed E, Reshotko M, Robertson F, List S, Young I, Cadien K 2004 Intel Technol. J. 8 129

    [2]

    O’Connor I, Gaffiot F 2004 Ultra Low-Power Electronics and Design (New York: Springer) pp21-29

    [3]

    Jalali B, Fathpour S 2006 J. Lightwave Technol. 24 4600

    [4]

    Soref R 2006 IEEE J. Sel. Top. Quant. 12 1678

    [5]

    Miller D A 1997 Int. J. Optoelectron. 11 155

    [6]

    Bolten J, Hofrichter J, Moll N, Schöenberger S, Horst F, Offrein B J, Wahlbrink T, Mollenhauer T, Kurz H 2009 Microelectron. Eng. 86 1114

    [7]

    Chen X, Li C, Tsang H K 2008 IEEE Photon. Technol. Lett. 20 1914

    [8]

    van Laere F, Roelkens G, Ayre M, Schrauwen J, Taillaert D, van Thourhout D, Krauss T F, Baets R 2007 J. Lightwave Technol. 25 151

    [9]

    Selvaraja S K, Vermeulen D, Schaekers M, Sleeckx E, Bogaerts W, Roelkens G, Dumon P, van Thourhout D, Baets R 2009 Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference Munich, June 2-4. 2009 p1

    [10]

    Roelkens G, Vermeulen D, van Laere F, Selvaraja S, Scheerlinck S, Taillaert D, Bogaerts W, Dumon P, van Thourhout D, Baets R 2010 J. Nanosci. Nanotechnol. 10 1551

    [11]

    Anastasia N, Xiao X, Yang B, Chu T, Yu J Z, Yu Y D 2012 Chin. Phys. Lett. 19 114213

    [12]

    Zhou L, Li Z Y, Zhu Y, Li Y T, Fan Z C, Han W H, Yu Y D, Yu J 2010 Chin. Phys. B 19 124214

    [13]

    Taillaert D, Bienstman P, Baets R 2004 Opt. Lett. 29 2749

    [14]

    Tang Y, Wang Z, Wosinski L, Westergren U, He S 2010 Opt. Lett. 35 1290

    [15]

    Zhang C, Sun J H, Xiao X, Sun W M, Zhang X J, Chu T, Yu J Z, Yu Y D 2013 Chin. Phys. Lett. 30 014207

    [16]

    Li C, Zhang H J, Yu M B, Lo G 2013 Optical Fiber Communication Conference Anaheim, March 17, 2013

    [17]

    Ura S, Murata S, Awatsuji Y, Kintaka K 2008 Opt. Express 16 12207

    [18]

    Van Laere F, Kotlyar M V, Taillaert D, van Thourhout D, Krauss T F, Baets R 2007 IEEE Photon. Technol. Lett. 19 396

    [19]

    Zhou L, Li Z Y, Hu Y T, Xiong K, Fan Z C, Han W H, Yu Y D, Yu J Z 2011 Chin. Phys. B 20 074212

    [20]

    Yang J B, Zhou Z P, Jia H H, Zhang X A, Qin S Q 2011 Opt. Lett. 36 2614

    [21]

    Mekis A, Gloeckner S, Masini G, Narasimha A, Pinguet T, Sahni S, De Dobbelaere P 2011 IEEE J. Sel. Top. Quant. 17 597

    [22]

    Cheng Z, Chen X, Wong C, Xu K, Fung C K, Chen Y, Tsang H K 2012 Opt. Lett. 37 1217

    [23]

    Cheng Z, Chen X, Wong C Y, Xu K, Ki T H 2012 Opt. Lett. 37 5181

    [24]

    Zhu Y, Xu X J, Li Z Y, Zhou L, Han W H, Fan Z C, Yu Y D, Yu J Z 2010 Chin. Phys. B 19 5

  • [1]

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    Roelkens G, Vermeulen D, van Laere F, Selvaraja S, Scheerlinck S, Taillaert D, Bogaerts W, Dumon P, van Thourhout D, Baets R 2010 J. Nanosci. Nanotechnol. 10 1551

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    [17]

    Ura S, Murata S, Awatsuji Y, Kintaka K 2008 Opt. Express 16 12207

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  • [1] 周培基, 李智勇, 俞育德, 余金中. 硅基光子集成研究进展. 物理学报, 2014, 63(10): 104218. doi: 10.7498/aps.63.104218
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    [3] 王硕, 常永伟, 陈静, 王本艳, 何伟伟, 葛浩. 新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应. 物理学报, 2019, 68(16): 168501. doi: 10.7498/aps.68.20190405
    [4] 涂鑫, 陈震旻, 付红岩. 硅基光波导开关技术综述. 物理学报, 2019, 68(10): 104210. doi: 10.7498/aps.68.20190011
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    [12] 张战刚, 雷志锋, 岳龙, 刘远, 何玉娟, 彭超, 师谦, 黄云, 恩云飞. 空间高能离子在纳米级SOI SRAM中引起的单粒子翻转特性及物理机理研究. 物理学报, 2017, 66(24): 246102. doi: 10.7498/aps.66.246102
    [13] 舒 斌, 张鹤鸣, 朱国良, 樊 敏, 宣荣喜. 基于智能剥离技术的SOI材料制备. 物理学报, 2007, 56(3): 1668-1673. doi: 10.7498/aps.56.1668
    [14] 徐德维. 薄膜光栅耦合器的研究. 物理学报, 1980, 180(9): 1135-1141. doi: 10.7498/aps.29.1135
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-04-15
  • 修回日期:  2013-05-07
  • 刊出日期:  2013-09-20

硅基光栅耦合器的研究进展

  • 1. 中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301701)

    中国科学院知识创新工程重要方向项目(批准号:KGCX2-EW-102)和国家自然科学基金(批准号:61107048,61275065)资助的课题.

摘要: 硅基光子集成芯片的研究近年来发展迅速, 已成为信息技术领域中最热门的研究方向之一, 光通信、光互连、光传感等相关研发应用机构高度关注其发展, 并积极介入. 硅基光子集成芯片中, 光栅耦合器作为光信号的输入和输出装置受到极大重视, 尤其在封装和测试等环节体现出极具价值的技术优势. 本文主要分析了光栅耦合器的工作原理、基本特性及国内外的发展现状和趋势, 同时也概括了本课题组近期在该方向上的研究成果.

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参考文献 (24)

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