搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

SiO2薄膜内部短程有序微结构研究

刘华松 季一勤 姜玉刚 王利栓 冷健 孙鹏 庄克文

SiO2薄膜内部短程有序微结构研究

刘华松, 季一勤, 姜玉刚, 王利栓, 冷健, 孙鹏, 庄克文
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  682
  • PDF下载量:  893
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2013-04-07
  • 修回日期:  2013-06-01
  • 刊出日期:  2013-09-05

SiO2薄膜内部短程有序微结构研究

  • 1. 天津津航技术物理研究所, 天津市薄膜光学重点实验室, 天津 300192
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:61235011)

    国家重大科学仪器专项子项目(批准号:2012YQ04016405)

    天津市自然科学基金(批准号:13JCYBJC17300)和天津市青年自然科学基金(批准号:12JCQNIC01200)资助的课题.

摘要: SiO2薄膜是重要的低折射率材料之一, 针对离子束溅射(IBS)和电子束蒸发(EB)的SiO2薄膜, 采用红外光谱反演技术获得在400–1500 cm-1波数内的介电常数, 通过对介电能损函数的分析获得了两种薄膜在横向和纵向光学 振动模式下的振动频率和Si–O–Si键角.研究结果表明, 在EB SiO2薄膜短程有序范围内, SiO4的连接方式主要是类柯石英结构、3-平面折叠环和热液石英结构的SiO4连接方式; 在IBS SiO2薄膜短程有序范围内, SiO4的连接方式复杂主要是类柯石英结构、3-平面折叠环、 4-平面折叠环结构和类热液石英结构.

English Abstract

参考文献 (19)

目录

    /

    返回文章
    返回