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三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应

卓青青 刘红侠 王志

三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应

卓青青, 刘红侠, 王志
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-24
  • 修回日期:  2013-05-28
  • 刊出日期:  2013-09-05

三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61076097, 60936005)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: 200110203110012)资助的课题.

摘要: 本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应. 首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型, 发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型, 仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合. 然后使用该模型, 仿真研究了处于截止态 (VD=5V) 的 H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应. 结果表明: 随着总剂量水平的增加, 器件在同等条件的重离子注入下, 产生的最大漏极电流脉冲只是稍有增大, 但是漏极收集电荷随总剂量水平大幅增加.

English Abstract

参考文献 (9)

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