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SiO_2上共溅射W-Si薄膜退火后的X射线衍射研究

陈存礼;周衡南;曹明珠;蒋宏伟;徐伟文;郭玲;黄敏

SiO_2上共溅射W-Si薄膜退火后的X射线衍射研究

陈存礼;周衡南;曹明珠;蒋宏伟;徐伟文;郭玲;黄敏
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出版历程
  • 刊出日期:  1989-04-20

SiO_2上共溅射W-Si薄膜退火后的X射线衍射研究

  • 1. 南京大学物理系;南京固体器件研究所

摘要: 用一个W-Si混合靶源, 以直流磁控溅射在SiO_2_ 上共溅射一层W-Si薄膜后, 进行500-1000℃ , 15s 的真空快速热退火, 发现薄层电阻随退火温度出现一反常的极大值. 用转靶X射线衍射研究分析了这一反常现象. 在直至1 1 0 0 ℃ 高温退火的样品中发现薄膜中存在W_5_Si_3_.它对薄层电阻有一定的贡献.

English Abstract

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