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InGaAsP半导体激光器中的近简并四波混频

曲林杰

InGaAsP半导体激光器中的近简并四波混频

曲林杰
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-11-19
  • 刊出日期:  1995-03-20

InGaAsP半导体激光器中的近简并四波混频

  • 1. 天津大学精密仪罢工程系,天津300072

摘要: 对InGaAsP半导体激活层中的近简并四波混频进行了理论分析和数值计算.实验观察了在工作波长为1.53μm的InGaAsP分布反馈(DFB)半导体激光器和外色散腔(EDC)半导体激光器中的近简并回波混频.观察到了透射增益对频率失谐的明显的不对称性.实验结果证实了载流子寿命应为~200—300ps.

English Abstract

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