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InGaAsP半导体激光器中的近简并四波混频

物理学报, 1995, 44(3): 413-418.
DOI: 10.7498/aps.44.413
CSTR: 32037.14.aps.44.413

Acta Phys. Sin., 1995, 44(3): 413-418.
DOI: 10.7498/aps.44.413
CSTR: 32037.14.aps.44.413
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  • 摘要

    对InGaAsP半导体激活层中的近简并四波混频进行了理论分析和数值计算.实验观察了在工作波长为1.53μm的InGaAsP分布反馈(DFB)半导体激光器和外色散腔(EDC)半导体激光器中的近简并回波混频.观察到了透射增益对频率失谐的明显的不对称性.实验结果证实了载流子寿命应为～200—300ps.

     

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