含磁控和荷控两种忆阻器的混沌电路设计与仿真

洪庆辉; 曾以成; 李志军

doi:10.7498/aps.62.230502

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含磁控和荷控两种忆阻器的混沌电路设计与仿真

洪庆辉 , 曾以成 , 李志军

含磁控和荷控两种忆阻器的混沌电路设计与仿真

洪庆辉, 曾以成, 李志军

物理学报. 2013, 62(23): 230502.

doi: 10.7498/aps.62.230502.

摘要

利用惠普实验室荷控和磁控两种忆阻器模型设计了一个五阶混沌电路. 数值仿真结果表明该电路在参数变化情况下能产生Hopf分岔和反倍周期分岔两种分岔行为，并能产生双涡卷、单涡卷、周期态等不同相轨道. 为了验证电路的混沌行为，利用基本元器件设计了惠普实验室荷控和磁控忆阻器模拟器，并将其应用到对所设计电路中进行Pspice仿真，电路仿真结果验证了理论分析的正确性.

关键词:

作者及机构信息

1.
湘潭大学光电工程系, 湘潭 411105;

2.
湘潭大学通信工程系, 湘潭 411105

基金项目: 国家自然科学基金（批准号：61233010，61176032）资助的课题.

参考文献

[1]	Chua L O 1971 IEEE Trans. Circ. Theory 18 507
[2]	Strukov D B, Snider G S, Stewart D R, Williams R S 2008 Nature 453 80
[3]	Itoh M, Chua L O 2008 Int. J. Bifurc. Chaos 18 3183
[4]	Muthuswamy B, Kokate P P 2009 IETE Tech. Rev. 26 417
[5]	Wen S, Zeng Z, Huang T 2012 Phys. Lett. A 376 2775
[6]	Lin Z, Wang H 2010 IETE Tech. Rev. 27 318
[7]	Bao B C, Liu Z, Xu J P 2010 Acta. Phys. Sin. 59 3785 (in Chinese) [包伯成, 刘中, 许建平 2010 物理学报 59 3785]
[8]	Bao B C, Liu Z, Xu J P 2010 Chin. Phys. B 19 030510
[9]	Li Y X, Zhao L Y, Chi W Q, Lu S L, Huang X 2013 Appl. Mech. Mater. 275 2481
[10]	Muthuswamy B 2010 Int. J. Bifur. Chaos 20 1335
[11]	Ishaq A A, Srinivasan K, Murali K,Lakshmanan M 2011 Int. J. Bifur. Chaos 21 737
[12]	Li Z J, Zeng Y C 2013 Chin. Phys. B 22 040502
[13]	Bao B C, Shi G D, Xu J P, Pan S H 2011 Sci. China Tech. Sci. 41 1135 (in Chinese) [包伯成, 史国栋, 许建平, 刘中, 潘赛虎 2011 中国科学: 技术科学 41 1135]
[14]	Buscarino A, Fortuna L, Frasca M, Valentina G L 2012 Int. J. Non. Sci. 22 023136
[15]	Kavehei O, KimY S, Iqbal A, Eshraghian K, Al-Sarawi S F, Abbott D 2009 Proc. R. Soc. A 466.2120 2175

施引文献

[1]	Chua L O 1971 IEEE Trans. Circ. Theory 18 507
[2]	Strukov D B, Snider G S, Stewart D R, Williams R S 2008 Nature 453 80
[3]	Itoh M, Chua L O 2008 Int. J. Bifurc. Chaos 18 3183
[4]	Muthuswamy B, Kokate P P 2009 IETE Tech. Rev. 26 417
[5]	Wen S, Zeng Z, Huang T 2012 Phys. Lett. A 376 2775
[6]	Lin Z, Wang H 2010 IETE Tech. Rev. 27 318
[7]	Bao B C, Liu Z, Xu J P 2010 Acta. Phys. Sin. 59 3785 (in Chinese) [包伯成, 刘中, 许建平 2010 物理学报 59 3785]
[8]	Bao B C, Liu Z, Xu J P 2010 Chin. Phys. B 19 030510
[9]	Li Y X, Zhao L Y, Chi W Q, Lu S L, Huang X 2013 Appl. Mech. Mater. 275 2481
[10]	Muthuswamy B 2010 Int. J. Bifur. Chaos 20 1335
[11]	Ishaq A A, Srinivasan K, Murali K,Lakshmanan M 2011 Int. J. Bifur. Chaos 21 737
[12]	Li Z J, Zeng Y C 2013 Chin. Phys. B 22 040502
[13]	Bao B C, Shi G D, Xu J P, Pan S H 2011 Sci. China Tech. Sci. 41 1135 (in Chinese) [包伯成, 史国栋, 许建平, 刘中, 潘赛虎 2011 中国科学: 技术科学 41 1135]
[14]	Buscarino A, Fortuna L, Frasca M, Valentina G L 2012 Int. J. Non. Sci. 22 023136
[15]	Kavehei O, KimY S, Iqbal A, Eshraghian K, Al-Sarawi S F, Abbott D 2009 Proc. R. Soc. A 466.2120 2175

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物理学报. 2013, 62(23): 230502.

doi: 10.7498/aps.62.230502.

含磁控和荷控两种忆阻器的混沌电路设计与仿真

1. 湘潭大学光电工程系, 湘潭 411105;
2. 湘潭大学通信工程系, 湘潭 411105

基金项目:

国家自然科学基金（批准号：61233010，61176032）资助的课题.

收稿日期: 2013-07-31
修回日期: 2013-08-25
刊出日期: 2013-12-05

摘要: 利用惠普实验室荷控和磁控两种忆阻器模型设计了一个五阶混沌电路. 数值仿真结果表明该电路在参数变化情况下能产生Hopf分岔和反倍周期分岔两种分岔行为，并能产生双涡卷、单涡卷、周期态等不同相轨道. 为了验证电路的混沌行为，利用基本元器件设计了惠普实验室荷控和磁控忆阻器模拟器，并将其应用到对所设计电路中进行Pspice仿真，电路仿真结果验证了理论分析的正确性.

关键词:

English Abstract

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