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沉积温度对钛硅共掺杂类金刚石薄膜生长、结构和力学性能的影响

姜金龙 黄浩 王琼 王善民 魏智强 杨华 郝俊英

沉积温度对钛硅共掺杂类金刚石薄膜生长、结构和力学性能的影响

姜金龙, 黄浩, 王琼, 王善民, 魏智强, 杨华, 郝俊英
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  • 采用中频磁控溅射Ti80Si20复合靶在单晶硅表面制备了共掺杂的类金刚石薄膜. 研究了沉积温度对薄膜生长速率、化学成分、结构、表面性质和力学性能的影响. 结果表明:随沉积温度升高,薄膜生长速率降低,薄膜Ti和Si原子浓度增加,C原子浓度降低;在高温下沉积的薄膜具有低sp3C 含量、低表面接触角、低内应力和高的硬度与弹性模量. 基于亚表层注入生长模型分析了沉积温度对薄膜生长和键合结构的影响,从薄膜生长机制和微观结构解释了表面性质和力学性能的变化.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:51105186)、甘肃省自然科学基金(批准号:1014RJZA007)和兰州理工大学优秀青年基金(批准号:1010ZCX010)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-22
  • 修回日期:  2013-10-14
  • 刊出日期:  2014-01-05

沉积温度对钛硅共掺杂类金刚石薄膜生长、结构和力学性能的影响

  • 1. 兰州理工大学应用物理系, 兰州 730050;
  • 2. 中国科学院兰州化学物理研究所, 固体润滑国家重点实验室, 兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:51105186)、甘肃省自然科学基金(批准号:1014RJZA007)和兰州理工大学优秀青年基金(批准号:1010ZCX010)资助的课题.

摘要: 采用中频磁控溅射Ti80Si20复合靶在单晶硅表面制备了共掺杂的类金刚石薄膜. 研究了沉积温度对薄膜生长速率、化学成分、结构、表面性质和力学性能的影响. 结果表明:随沉积温度升高,薄膜生长速率降低,薄膜Ti和Si原子浓度增加,C原子浓度降低;在高温下沉积的薄膜具有低sp3C 含量、低表面接触角、低内应力和高的硬度与弹性模量. 基于亚表层注入生长模型分析了沉积温度对薄膜生长和键合结构的影响,从薄膜生长机制和微观结构解释了表面性质和力学性能的变化.

English Abstract

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