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MBE和MOCVD生长的AIGaAs/GaAs GRIN—SCH SQW激光器深中心的比较
卢励吾 , 周洁 , 封松林 , 徐俊英 , 杨辉
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(1)半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京100083; (2)国家光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所北京100083; (3)集成光电子学联合实验室半导体研究所实验区,中国科学院半导体研究所,北京100083
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