搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响

杨双波

温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响

杨双波
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  1038
  • PDF下载量:  483
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-04
  • 修回日期:  2013-11-22
  • 刊出日期:  2014-03-05

温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响

  • 1. 南京师范大学物理科学与技术学院, 南京 210023

摘要: 本文在有效质量近似下,通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T=273 K,磁感应强度B=25 T,Si均匀掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱系统的电子态结构. 研究了温度与外磁场对子带能量,本征包络函数,自洽势,电子密度分布,及费米能量的影响. 发现在给定磁感应强度B≠0下,随温度升高子带能量单调增加,费米能量单调递减,自洽势的势阱变深变陡,电子密度分布变宽,峰值降低;在给定温度下,随磁感应强度的增加子带能量及费米能量单调递增,自洽势阱变浅变宽,电子密度分布变窄,峰值升高.

English Abstract

参考文献 (27)

目录

    /

    返回文章
    返回