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强磁场中晶体生长研究

户泽慎一郎 康俊勇

强磁场中晶体生长研究

户泽慎一郎, 康俊勇
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-10-06
  • 刊出日期:  1996-02-20

强磁场中晶体生长研究

  • 1. (1)东北大学金属材料研究所,仙台980,日本; (2)厦门大学物理系,厦门361005
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    福建省自然科学基金资助的课题

摘要: 设计和制造了一套垂直渐冷设备以研究强磁场中的晶体生长,在强磁场和无磁场下,测量了掺碲InSb熔体及其上方的温度分布;生长了低GaSh组分的InGaSb和掺碲InSb晶体.实验表明,8.00T的强磁场能改善InGaSb混晶的质最和提高InSb晶体中Te杂质轴向分布的均匀性.分析认为,这些结果是强磁场提高流体的稳定性和降低对流的速度所致.

English Abstract

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