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CuHg2Ti型Ti2Cr基合金的电子结构、能隙起源和磁性研究

贾红英 代学芳 王立英 刘然 王啸天 李朋朋 崔玉亭 王文洪 吴光恒 刘国栋

CuHg2Ti型Ti2Cr基合金的电子结构、能隙起源和磁性研究

贾红英, 代学芳, 王立英, 刘然, 王啸天, 李朋朋, 崔玉亭, 王文洪, 吴光恒, 刘国栋
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  • 利用第一性原理计算方法,研究了CuHg2Ti结构下Ti2CrK(K=Sb,Ge,Sn,Sb,Bi)系列合金的电子结构、能隙起源和磁性. 研究发现:Ti2CrK(K=Si,Ge)合金是普通半导体材料;Ti2CrK(K=Si,Bi)合金是亚铁磁性半金属材料,其半金属性能隙受到Sb 和Bi 原子s 态的直接影响;Ti2CrSn合金是完全补偿的亚铁磁性半导体. 基于Ti2CrSn合金两个自旋方向上的能隙起源不同,通过Si和Ge替换掺杂同族Sn元素调制能隙的宽度,获得了完全补偿亚铁磁性自旋无能隙材料;通过Fe和Mn替换掺杂过渡族Cr元素获得了一系列半金属材料. Ti2Cr1-xFexSn 和Ti2Cr1-xMnxSn合金都具有亚铁磁性. 所研究的这些半金属性合金的分子磁矩Mtotal 与总的价电子数Zt服从Mtotal=Zt-18 规则.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:51271071,11074160)、教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-10-0126)、河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(批准号:12965136D)、河北省自然科学基金(批准号:E2013202181)和河北省高等学校科学技术研究青年基金(批准号:Q2012008)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-12-10
  • 修回日期:  2014-02-20
  • 刊出日期:  2014-05-05

CuHg2Ti型Ti2Cr基合金的电子结构、能隙起源和磁性研究

  • 1. 河北工业大学材料科学与工程学院, 天津 300130;
  • 2. 重庆师范大学物理与电子工程学院, 重庆 400044;
  • 3. 中国科学院物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室, 北京 100190
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:51271071,11074160)、教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-10-0126)、河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(批准号:12965136D)、河北省自然科学基金(批准号:E2013202181)和河北省高等学校科学技术研究青年基金(批准号:Q2012008)资助的课题.

摘要: 利用第一性原理计算方法,研究了CuHg2Ti结构下Ti2CrK(K=Sb,Ge,Sn,Sb,Bi)系列合金的电子结构、能隙起源和磁性. 研究发现:Ti2CrK(K=Si,Ge)合金是普通半导体材料;Ti2CrK(K=Si,Bi)合金是亚铁磁性半金属材料,其半金属性能隙受到Sb 和Bi 原子s 态的直接影响;Ti2CrSn合金是完全补偿的亚铁磁性半导体. 基于Ti2CrSn合金两个自旋方向上的能隙起源不同,通过Si和Ge替换掺杂同族Sn元素调制能隙的宽度,获得了完全补偿亚铁磁性自旋无能隙材料;通过Fe和Mn替换掺杂过渡族Cr元素获得了一系列半金属材料. Ti2Cr1-xFexSn 和Ti2Cr1-xMnxSn合金都具有亚铁磁性. 所研究的这些半金属性合金的分子磁矩Mtotal 与总的价电子数Zt服从Mtotal=Zt-18 规则.

English Abstract

参考文献 (40)

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