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注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿

陈开茅 金泗轩 贾勇强 刘鸿飞 邱素娟 吕云安 何梅芬

注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿

陈开茅, 金泗轩, 贾勇强, 刘鸿飞, 邱素娟, 吕云安, 何梅芬
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-12-08
  • 刊出日期:  1996-03-20

注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿

  • 1. (1)北京大学物理系,北京100871; (2)北京有色金属研究总院,北京100088; (3)电子工业部13所,石家庄050051
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 详细研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷的电学性质。深能级瞬态谱(DLTS)技术测量表明,能量为140keV和剂量为1×1013cm-2的氮离子注入并经800℃退火30min的GaAs中存在四个电子陷阱,E1(0.111),E2(0.234),E3(0.415),E4(0.669)和一个空穴陷阱H(0.545),而在能量为20keV和剂量为5×1014

English Abstract

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