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高能电子衍射研究H钝化偏角Si衬底上Si,GexSi1-x的分子束外延生长模式

崔堑 黄绮 陈弘 周均铭

高能电子衍射研究H钝化偏角Si衬底上Si,GexSi1-x的分子束外延生长模式

崔堑, 黄绮, 陈弘, 周均铭
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-12-14
  • 刊出日期:  1996-02-05

高能电子衍射研究H钝化偏角Si衬底上Si,GexSi1-x的分子束外延生长模式

  • 1. 中国科学院物理研究所,北京100080

摘要: 用高能电子衍射(RHEED)研究H钝化偏角Si衬底上Si,GexSi1-x材料的分子束外延(MBE)生长模式,发现经低温处理的H钝化Si衬底上要经过10nm左右的Si生长才能获得比较平整的表面.Si,GexSi1-x外延时的稳定表面均以双原子台阶为主,双原子台阶与单原子台阶并存的结构.Si双原子台阶上的Si二聚体列(dimerrow)取向垂直于台阶边缘,而GexSi1-x双原

English Abstract

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