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SnO2/p+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO2盖层提高发光强度

蒋昊天 杨扬 汪粲星 朱辰 马向阳 杨德仁

SnO2/p+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO2盖层提高发光强度

蒋昊天, 杨扬, 汪粲星, 朱辰, 马向阳, 杨德仁
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-03-13
  • 修回日期:  2014-05-04
  • 刊出日期:  2014-09-05

SnO2/p+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO2盖层提高发光强度

  • 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:51372219和61176042)、国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2013CB632102)、浙江省自然科学基金(批准号:R4090055)和浙江省创新团队项目(批准号:2009R50005)资助的课题.

摘要: 通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800 ℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结. 基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光. 进一步地,通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层,使器件的电致发光获得显著增强. 这是由于TiO2盖层的引入,一方面使SnO2薄膜更加致密,减少了非辐射复合中心;另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高.

English Abstract

参考文献 (27)

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