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Na2Ge2Se5电子结构和光学性质的第一性原理研究

程旭东 吴海信 唐小路 王振友 肖瑞春 黄昌保 倪友保

Na2Ge2Se5电子结构和光学性质的第一性原理研究

程旭东, 吴海信, 唐小路, 王振友, 肖瑞春, 黄昌保, 倪友保
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-02-17
  • 修回日期:  2014-05-05
  • 刊出日期:  2014-09-20

Na2Ge2Se5电子结构和光学性质的第一性原理研究

  • 1. 中国科学院安徽光学精密机械研究所, 合肥 230031;
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100049

摘要: Na2Ge2Se5是一种优异的红外非线性晶体材料. 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法对Na2Ge2Se5进行结构优化,并以此为基础计算研究了Na2Ge2Se5 的电子结构和光学性质. 结果表明:Na2Ge2Se5是宽禁带间接带隙半导体,价带至导带的电子跃迁主要来自于Ge和Se的4s,4p态;Na对光学性质的贡献较小,Ge 和Se之间的相互耦合作用决定了Na2Ge2Se5的光学性质;该晶体在紫外区有强烈的反射和吸收,静态折射率为2.133,双折射率值适中,为0.145. 理论计算结果表明,Na2Ge2Se5 是一种性能优良的红外非线性光学晶体材料.

English Abstract

参考文献 (21)

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