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单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质

唐欣月 高红 潘思明 孙鉴波 姚秀伟 张喜田

单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质

唐欣月, 高红, 潘思明, 孙鉴波, 姚秀伟, 张喜田
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  • 采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征. 基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关电学参数,其中迁移率值为622 cm2·V-1·s-1,该值明显优于包括ZnO在内的大多数材料;讨论了迁移率提高的可能原因.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11074060,51172058)、黑龙江省教育厅科学技术重点研究项目(批准号:12521z012)和黑龙江省研究生创新科研项目(2013)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-03-27
  • 修回日期:  2014-05-24
  • 刊出日期:  2014-10-05

单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质

  • 1. 光电带隙材料省部共建教育部重点实验室, 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院, 哈尔滨 150025
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11074060,51172058)、黑龙江省教育厅科学技术重点研究项目(批准号:12521z012)和黑龙江省研究生创新科研项目(2013)资助的课题.

摘要: 采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征. 基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关电学参数,其中迁移率值为622 cm2·V-1·s-1,该值明显优于包括ZnO在内的大多数材料;讨论了迁移率提高的可能原因.

English Abstract

参考文献 (31)

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