搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于蒙特卡洛和器件仿真的单粒子翻转计算方法

王晓晗 郭红霞 雷志锋 郭刚 张科营 高丽娟 张战刚

基于蒙特卡洛和器件仿真的单粒子翻转计算方法

王晓晗, 郭红霞, 雷志锋, 郭刚, 张科营, 高丽娟, 张战刚
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  1033
  • PDF下载量:  519
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2014-04-02
  • 修回日期:  2014-06-03
  • 刊出日期:  2014-10-05

基于蒙特卡洛和器件仿真的单粒子翻转计算方法

  • 1. 工业和信息化部电子第五研究所, 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广州 510610;
  • 2. 西北核技术研究所, 西安 710024;
  • 3. 中国原子能科学研究院, 北京 102413

摘要: 文章提出了一种基于蒙特卡洛和器件仿真的存储器单粒子翻转截面获取方法,可以准确计算存储器单粒子效应,并定位单粒子翻转的灵敏区域. 基于该方法,计算了国产静态存储器和现场可编程门阵列(FPGA)存储区的单粒子效应的截面数据,仿真结果和重离子单粒子效应试验结果符合较好. 仿真计算揭示了器件单粒子翻转敏感程度与器件n,p 截止管区域面积相关的物理机理,并获得了不同线性能量转移(LET)值下单粒子翻转灵敏区域分布. 采用蒙特卡洛方法计算了具有相同LET、不同能量的离子径迹分布,结果显示高能离子的电离径迹半径远大于低能离子,而低能离子径迹中心的能量密度却要高约两到三个数量级. 随着器件特征尺寸的减小,这种差别的影响将会越来越明显,阈值LET和饱和截面将不能完全描述器件单粒子效应结果.

English Abstract

参考文献 (12)

目录

    /

    返回文章
    返回