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VO2/AZO复合薄膜的制备及其光电特性研究

袁文瑞 李毅 王晓华 郑鸿柱 陈少娟 陈建坤 孙瑶 唐佳茵 刘飞 郝如龙 方宝英 肖寒

VO2/AZO复合薄膜的制备及其光电特性研究

袁文瑞, 李毅, 王晓华, 郑鸿柱, 陈少娟, 陈建坤, 孙瑶, 唐佳茵, 刘飞, 郝如龙, 方宝英, 肖寒
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  • 采用直流磁控溅射和后退火氧化的方法在掺铝氧化锌(AZO)导电玻璃上制备了二氧化钒(VO2)薄膜,研究了不同的退火温度、退火时间对VO2/AZO复合薄膜制备的影响,并对复合薄膜的结构、组分、光电特性进行了测试与分析. 结果表明,导电玻璃上的AZO没有改变VO2的取向生长,但明显改变了VO2薄膜的表面形貌特征. 与用相同工艺和条件在普通玻璃基底上制备的VO2薄膜相比,VO2/AZO复合薄膜的相变温度降低约25 ℃,热滞回线宽度收窄至6 ℃,相变前后可见光透过率均在50%以上,1500 nm处红外透过率约为55%和21%,电阻率变化达3 个数量级. 该复合薄膜表面平滑致密,制备工艺简单,性能稳定,可应用于新型光电器件.
    • 基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)项目(批准号:2006AA03Z348)、教育部科学技术研究重点项目(批准号:207033)、上海市科学技术委员会科技攻关计划项目(批准号:06DZ11415)、上海市教育委员会科技创新重点项目(批准号:10ZZ94) 和上海领军人才培养计划资助项目(批准号:2011-026)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-05-20
  • 修回日期:  2014-06-20
  • 刊出日期:  2014-11-05

VO2/AZO复合薄膜的制备及其光电特性研究

  • 1. 上海理工大学光电信息与计算机工程学院, 上海 200093;
  • 2. 上海市现代光学系统重点实验室, 上海 200093;
  • 3. 上海电力学院计算机与信息工程学院, 上海 200090
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863计划)项目(批准号:2006AA03Z348)、教育部科学技术研究重点项目(批准号:207033)、上海市科学技术委员会科技攻关计划项目(批准号:06DZ11415)、上海市教育委员会科技创新重点项目(批准号:10ZZ94) 和上海领军人才培养计划资助项目(批准号:2011-026)资助的课题.

摘要: 采用直流磁控溅射和后退火氧化的方法在掺铝氧化锌(AZO)导电玻璃上制备了二氧化钒(VO2)薄膜,研究了不同的退火温度、退火时间对VO2/AZO复合薄膜制备的影响,并对复合薄膜的结构、组分、光电特性进行了测试与分析. 结果表明,导电玻璃上的AZO没有改变VO2的取向生长,但明显改变了VO2薄膜的表面形貌特征. 与用相同工艺和条件在普通玻璃基底上制备的VO2薄膜相比,VO2/AZO复合薄膜的相变温度降低约25 ℃,热滞回线宽度收窄至6 ℃,相变前后可见光透过率均在50%以上,1500 nm处红外透过率约为55%和21%,电阻率变化达3 个数量级. 该复合薄膜表面平滑致密,制备工艺简单,性能稳定,可应用于新型光电器件.

English Abstract

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