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能谷间相互作用对量子阱Ge0.3Si0.7/Si/Ge0.3Si0.7的电子能带结构的影响

徐至中

能谷间相互作用对量子阱Ge0.3Si0.7/Si/Ge0.3Si0.7的电子能带结构的影响

徐至中
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-05-02
  • 修回日期:  1996-06-22
  • 刊出日期:  1997-02-05

能谷间相互作用对量子阱Ge0.3Si0.7/Si/Ge0.3Si0.7的电子能带结构的影响

  • 1. 复旦大学物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 采用建立在经验赝势理论基础上的推广k·p方法及电流密度算符技术,计算了生长在Ge0.3Si0.7(001)衬底上的量子阱Ge0.3Si0.7/Si/Ge0.3Si0.7的导带电子束缚能级.详细地研究了因能谷间相互作用而引起的能级分裂情况,同时也讨论了电子束缚能级在阱平面方向上的色散关系

English Abstract

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