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光折变晶体Ce:BaTiO3电光和压电系数的测量

P.BARNASCONI M.ZGONIK P.GNTER 朱镛 牛小娟 刘宏斌

光折变晶体Ce:BaTiO3电光和压电系数的测量

P.BARNASCONI, M.ZGONIK, P.GNTER, 朱镛, 牛小娟, 刘宏斌
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-09-17
  • 刊出日期:  1997-04-20

光折变晶体Ce:BaTiO3电光和压电系数的测量

  • 1. (1)Institute of Quantum Electronics,Swiss Federal Institute of Technology,-ETH H?nggerberg,CH-8093,Zrich,Switzerland; (2)中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 用干涉仪的方法测量了Ce:BaTiO3晶体的低频电光系数和压电系数.排除压电效应对光通过晶体引起相位的变化,得到低频下经极化的Ce:BaTiO3单晶的电光系数r42=1945±220pm/V和r13=11.8±1pm/V.从而,为研究Ce:BaTiO3晶体的光折变效应和理论计算提供了精确的线性电光系数

English Abstract

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