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n+-Si与p-Si衬底上含纳米硅的SiO2膜电致发光

张亚雄 李安平 陈开茅 张伯蕊 孙允希 秦国刚 马振昌 宗婉华

n+-Si与p-Si衬底上含纳米硅的SiO2膜电致发光

张亚雄, 李安平, 陈开茅, 张伯蕊, 孙允希, 秦国刚, 马振昌, 宗婉华
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-06-13
  • 刊出日期:  1997-05-20

n+-Si与p-Si衬底上含纳米硅的SiO2膜电致发光

  • 1. (1)北京大学物理系; (2)电子工业部第13研究所

摘要: 对于Au/富Si-SiO2/p-Si和Au/富Si-SiO2/n+-Si这两种结构,研究并比较了它们的电致发光特性.对于前者,当正向偏压大于4V时发射红光,而加反向偏压时不发光;对于后者,加正向偏压不发光,而当反向偏压大于3.5V时发射红光.着重讨论了Au/富Si-SiO2/n+-Si的电致发光机制

English Abstract

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