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W(110)面二维氧化的低能电子显微镜研究

蔡群 M.S.ALTMAN

W(110)面二维氧化的低能电子显微镜研究

蔡群, M.S.ALTMAN
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-10-23
  • 修回日期:  1996-11-18
  • 刊出日期:  1997-03-05

W(110)面二维氧化的低能电子显微镜研究

  • 1. (1)复旦大学应用表面物理国家重点实验室; (2)香港科技大学物理系

摘要: 应用低能电子显微术对W(110)面二维氧化结构进行了初步研究.随着氧暴露量的增加,低能电子衍射图样由清洁表面(1×1)结构转变成p(2×1),再变为带有复杂衍射卫星点的p(2×2)结构.利用低能电子显微术的暗场像模式,对(00)束附近的分数衍射斑点进行了放大成像,发现表面由两种对比度相差很大的区域组成,它们就是具有不同方位取向的氧超结构畴区.两种畴区的分布与衬底表面缺陷特别是表面台阶有一定的关系,而且温度对这种钨表面的二维氧化起着重要作用

English Abstract

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