搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

类特异材料半导体复合结构中的电子Tamm态

武执政 余坤 郭志伟 李云辉 江海涛

类特异材料半导体复合结构中的电子Tamm态

武执政, 余坤, 郭志伟, 李云辉, 江海涛
PDF
导出引用
  • 通过选取具有特殊能带结构的半导体材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe), 类比电磁体系得到了电子体系中的类单负材料、类双负材料等类特异材料, 然后将其组合成一维复合异质结构. 通过数值计算, 发现复合结构中存在新型电子Tamm态, 包括返向电子Tamm态和含类近零折射率材料复合结构中的电子Tamm态. 这些结果拓展了人们对电子Tamm态的认识.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号: 2011CB922001)、国家自然科学基金(批准号: 11234010, 11074187)、上海市教委科研创新基金(批准号: 14ZZ040)和中央高校基本科研专项资金资助的课题.
    [1]

    Tamm I Y 1932 Phys. Z. Sowjetunion 1 733

    [2]

    Ohno H, Mendez E E, Brum J A, Hong J M, Agulló R F, Chang L L, Esaki L 1990 Phys. Rev. Lett. 64 2555

    [3]

    Yablonovitch E 1987 Phys. Rev. Lett. 58 2059

    [4]

    John S 1987 Phys. Rev. Lett. 58 2486

    [5]

    Yeh P, Yariv A, Cho A Y 1978 Appl. Phys. Lett. 32 104

    [6]

    Yeh P 1988 Optical Waves in Layered Media (New York: Wiley) pp337-344

    [7]

    Veselago V G 1968 Sov. Phys. Usp. 10 509

    [8]

    Pendry J B, Holden A J, Stewart W J 1996 Phys. Rev. Lett. 76 4773

    [9]

    Pendry J B, Holden A J, Robbins D J 1999 IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 47 2075

    [10]

    Monticone F, Alù A 2014 Chin. Phys. B 23 047809

    [11]

    Martorell J, Sprung D W L, Morozov G V 2006 Pure Appl. Opt. 8 630

    [12]

    Malkova N, Ning C Z 2006 Phys. Rev. B 73 113113

    [13]

    Namdar A, Shadrivov I V, Kivshar Y S 2007 Phys. Rev. A 75 053812

    [14]

    Cheianov V V, Vladimir F, Altshuler B L 2007 Science 315 1252

    [15]

    Haldane F D M, Raghu S 2008 Phys. Rev. Lett. 100 013904

    [16]

    Wang Z, Chong Y D, Joannopoulos J D, Soljacic M 2009 Nature 461 772

    [17]

    Zandbergen S R, Michiel J A 2010 Phys. Rev. Lett. 104 043903

    [18]

    Jelinek L, Baena J D, Voves J, Marquesn R 2011 New J. Phys. 13 083011

    [19]

    Kane E O 1957 J. Phys. Chem. Sol. 1 249

    [20]

    Bastard G 1988 Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (New York: Wiley) pp41-48

    [21]

    Kowalczyk S P, Cheng J T, Kraut E A 1986 Phys. Rev. Lett. 56 1605

    [22]

    Johnson N F, Hui P M, Ehrenreich H 1988 Phys. Rev. Lett. 61 1993

    [23]

    Mecabih L, Amrane N, Belgoumene B 2000 Physica A 276 495

    [24]

    Yu Y F, Lu C, Wei L Y, Lin S 2012 Chin. Phys. B 21 017804

    [25]

    Jiang H T, Chen H, Li H Q, Zhang Y W 2004 Phys. Rev. E 69 066607

  • [1]

    Tamm I Y 1932 Phys. Z. Sowjetunion 1 733

    [2]

    Ohno H, Mendez E E, Brum J A, Hong J M, Agulló R F, Chang L L, Esaki L 1990 Phys. Rev. Lett. 64 2555

    [3]

    Yablonovitch E 1987 Phys. Rev. Lett. 58 2059

    [4]

    John S 1987 Phys. Rev. Lett. 58 2486

    [5]

    Yeh P, Yariv A, Cho A Y 1978 Appl. Phys. Lett. 32 104

    [6]

    Yeh P 1988 Optical Waves in Layered Media (New York: Wiley) pp337-344

    [7]

    Veselago V G 1968 Sov. Phys. Usp. 10 509

    [8]

    Pendry J B, Holden A J, Stewart W J 1996 Phys. Rev. Lett. 76 4773

    [9]

    Pendry J B, Holden A J, Robbins D J 1999 IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 47 2075

    [10]

    Monticone F, Alù A 2014 Chin. Phys. B 23 047809

    [11]

    Martorell J, Sprung D W L, Morozov G V 2006 Pure Appl. Opt. 8 630

    [12]

    Malkova N, Ning C Z 2006 Phys. Rev. B 73 113113

    [13]

    Namdar A, Shadrivov I V, Kivshar Y S 2007 Phys. Rev. A 75 053812

    [14]

    Cheianov V V, Vladimir F, Altshuler B L 2007 Science 315 1252

    [15]

    Haldane F D M, Raghu S 2008 Phys. Rev. Lett. 100 013904

    [16]

    Wang Z, Chong Y D, Joannopoulos J D, Soljacic M 2009 Nature 461 772

    [17]

    Zandbergen S R, Michiel J A 2010 Phys. Rev. Lett. 104 043903

    [18]

    Jelinek L, Baena J D, Voves J, Marquesn R 2011 New J. Phys. 13 083011

    [19]

    Kane E O 1957 J. Phys. Chem. Sol. 1 249

    [20]

    Bastard G 1988 Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (New York: Wiley) pp41-48

    [21]

    Kowalczyk S P, Cheng J T, Kraut E A 1986 Phys. Rev. Lett. 56 1605

    [22]

    Johnson N F, Hui P M, Ehrenreich H 1988 Phys. Rev. Lett. 61 1993

    [23]

    Mecabih L, Amrane N, Belgoumene B 2000 Physica A 276 495

    [24]

    Yu Y F, Lu C, Wei L Y, Lin S 2012 Chin. Phys. B 21 017804

    [25]

    Jiang H T, Chen H, Li H Q, Zhang Y W 2004 Phys. Rev. E 69 066607

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  1217
  • PDF下载量:  477
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2014-12-08
  • 修回日期:  2014-12-25
  • 刊出日期:  2015-05-05

类特异材料半导体复合结构中的电子Tamm态

  • 1. 同济大学物理科学与工程学院, 先进微结构材料教育部重点实验室, 上海 200092
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2011CB922001)、国家自然科学基金(批准号: 11234010, 11074187)、上海市教委科研创新基金(批准号: 14ZZ040)和中央高校基本科研专项资金资助的课题.

摘要: 通过选取具有特殊能带结构的半导体材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe), 类比电磁体系得到了电子体系中的类单负材料、类双负材料等类特异材料, 然后将其组合成一维复合异质结构. 通过数值计算, 发现复合结构中存在新型电子Tamm态, 包括返向电子Tamm态和含类近零折射率材料复合结构中的电子Tamm态. 这些结果拓展了人们对电子Tamm态的认识.

English Abstract

参考文献 (25)

目录

    /

    返回文章
    返回