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Si/ZnS极性界面能带偏移的同步辐射光电子能谱研究

陆尔东 徐世宏 徐彭寿 班大雁 方容川 薛剑耿

Si/ZnS极性界面能带偏移的同步辐射光电子能谱研究

陆尔东, 徐世宏, 徐彭寿, 班大雁, 方容川, 薛剑耿
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-01-28
  • 刊出日期:  1997-09-20

Si/ZnS极性界面能带偏移的同步辐射光电子能谱研究

  • 1. (1)合肥国家同步辐射实验室;中国科学技术大学物理系; (2)中国科学技术大学物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 用同步辐射光电子能谱测量了Si/ZnS(111)及(100)异质结的价带偏移ΔEv.对于Si/ZnS(111)及(100)两界面,ΔEv的实验结果均为(1.9±0.1)eV,与已有理论预期值相当符合,但与Maierhofer所报告的ZnS/Si(111)异质结测量结果之间则存在明显差别.该实验结果表明对于Si/ZnS极性界面,互逆性规则(commutativity rule)可能不成立,就此进行了讨论.

English Abstract

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