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电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性

姜柯 陆妩 胡天乐 王信 郭旗 何承发 刘默涵 李小龙

电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性

姜柯, 陆妩, 胡天乐, 王信, 郭旗, 何承发, 刘默涵, 李小龙
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-11-24
  • 修回日期:  2015-02-16
  • 刊出日期:  2015-07-05

电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性

  • 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;
  • 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;
  • 3. 中国科学院大学, 北京 100049

摘要: 本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 MeV和1 MeV两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究, 分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度 (室温, 100 ℃, 125 ℃) 下随时间变化的关系, 讨论了引起电参数失效的机理, 并且分析了器件在室温和高温的退火效应以讨论引起器件电参数失效的机理. 结果表明, 1.8 MeV和1 MeV 电子对运算放大器LM108主要产生电离损伤, 相同束流下1.8 MeV电子造成的损伤比1 MeV 电子更大, 相同能量下0.32 Gy(Si)/s束流电子产生的损伤大于1.53 Gy(Si)/s束流电子. 对于相同能量和束流的电子辐照, 器件零偏时的损伤大于正偏时的损伤. 器件辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系, 而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.

English Abstract

参考文献 (13)

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