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单轴应变SiNMOSFET源漏电流特性模型

吕懿 张鹤鸣 胡辉勇 杨晋勇 殷树娟 周春宇

单轴应变SiNMOSFET源漏电流特性模型

吕懿, 张鹤鸣, 胡辉勇, 杨晋勇, 殷树娟, 周春宇
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-04-20
  • 修回日期:  2015-06-02
  • 刊出日期:  2015-10-05

单轴应变SiNMOSFET源漏电流特性模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
  • 2. 北京精密机电控制设备研究所, 北京 100076;
  • 3. 北京信息科技大学理学院, 北京 100192
  • 通信作者: 胡辉勇, 35691513@qq.com
    基金项目: 

    教育部博士点基金(批准号: JY0300122503)和中央高校基本业务费(批准号: K5051225014, K5051225004)资助的课题.

摘要: 本文在建立单轴应变Si NMOSFET迁移率模型和阈值电压模型的基础上, 基于器件不同的工作区域, 从基本的漂移扩散方程出发, 分别建立了单轴应变Si NMOSFET源漏电流模型. 其中将应力的影响显式地体现在迁移率和阈值电压模型中, 使得所建立的模型能直观地反映出源漏电流特性与应力强度的关系. 并且对于亚阈区电流模型, 基于亚阈区反型电荷, 而不是采用常用的有效沟道厚度近似的概念, 从而提高了模型的精度. 同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较, 验证了模型的可行性. 该模型已经被嵌入进电路仿真器中, 实现了对单轴应变Si MOSFET 器件和电路的模拟仿真.

English Abstract

参考文献 (14)

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