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ZnCdO/ZnO单量子阱结构及其荧光发射特性

易有根 王瑜英 胡奇峰 张彦彬 彭勇宜 雷红文 彭丽萍 王雪敏 吴卫东

ZnCdO/ZnO单量子阱结构及其荧光发射特性

易有根, 王瑜英, 胡奇峰, 张彦彬, 彭勇宜, 雷红文, 彭丽萍, 王雪敏, 吴卫东
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-10-08
  • 修回日期:  2015-12-23
  • 刊出日期:  2016-03-05

ZnCdO/ZnO单量子阱结构及其荧光发射特性

  • 1. 中南大学物理与电子学院, 超微结构与超快过程湖南省重点实验室, 长沙 410083;
  • 2. 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 等离子体物理重点实验室, 绵阳 621900
  • 通信作者: 彭勇宜, yougenyi@csu.edu.cn
    基金项目: 

    中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室基金(批准号: 9140C680501110C6803)和中南大学中央高校基本科研业务费专项基金(批准号: ZY2015681)资助的课题.

摘要: 采用激光分子束外延方法在Al2O3(0001)单晶衬底上进行了Zn1-xCdxO/ZnO单量子阱结构的生长, 通过控制基底温度、氧气分压等, 获得了阱宽约为1.0, 1.5和4.0 nm的单量子阱结构, 研究了量子阱组分、表面形貌、荧光发射特性. 结果表明, 通过脉冲激光烧蚀陶瓷靶的方法获得的Zn1-xCdxO中Cd含量x约为2%, 外延膜表面平整均匀, 界面质量良好, 在325 nm He-Cd激光激发下, 获得了非常强的光致荧光发射, 1.0 nm量子阱结构荧光发射峰半高宽达到60 meV, 通过量子阱宽度的调控, 量子阱的发射峰从3.219 eV红移到3.158 eV, 且随着阱宽的增加, 量子限制效应变弱(阱宽4.0 nm样品), 通过生长温度、气压条件的控制, 量子阱的缺陷密度可控制在较低水平.

English Abstract

参考文献 (10)

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